در توان 250~4000kw و رنج ولتاژ 3.3~11kV
کنترل دور های مدیوم ولتاژ ساخت این شرکت با استفاده از تکنولوژی Cascaded H-Bridge Multilevel Inverter بوده و این درایو ها از تعدادی سلول های قدرت ولتاژ پایین که بصورت سری با هم قرار گرفته اند تشکیل شده است.
درساخت این درایوها از IGBT های ولتاژ کم استفاده در ساخت این درایو ها از IGBT های ولتاژ کم استفاده شده و راندمان درایو بیش از 98% می باشد. ضریب قدرت این درایو ها بدون نیاز به خازن اصلاح بیش از 96% است.
این درایو ها با رعایت الزامات IEEE519_1992 دارای هارمونیک کمتر از 5% بوده و شکل موج جریان ورودی تقریباً سینوسی است . با توجه به چند سطحی بودن شکل موج ولتاژ خروجی این درایو ها ، جریان خروجی به موتور سینوسی بوده و امکان نصب روی موتور ها و کابل های استاندارد موجود در سیستم را دارا می باشد.
از خصوصیات دیگر این درایو ها می توان به مدولاریتی و یا به عبارتی یکسان بودن سلول های قدرت آنها و آسان بودن تعویض آنها اشاره کرد و همچنین کلیه سلول های قدرت از طریق کابل های نوری از قسمت کنترل ایزوله بوده و سیگنال های کنترل و فرمان این سلول ها بصورت مدوله با دو رشته کابل نوری منتقل می شود.
